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据贝哲斯咨询报告显示，2024年全球半导体市场规模达到39337.08亿元（人民币），预计到2030年将达到84718.69亿元。

随着制程工艺进入纳米级，芯片内部层数增多且结构愈加复杂，对X光的穿透能力提出更高要求。

X射线凭借其高穿透性，可无损检测内部缺陷（如晶圆凸块桥接、Wafer内部异物杂质、内部连线断裂等），成为不可替代的技术。

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开管射线源的核心技术长期被海外垄断，高昂的采购与维护成本，严重挤压着国内厂商的利润空间。

拉斯维加斯官网入口科研团队历经｢8年｣ 持续攻关在开放式射线源技术领域取得革命性突破！

在上千次实验测试后，团队攻克了高密度电子束精准聚焦、兆瓦级热载荷材料耐受性、多物理场耦合真空腔体设计等多项核心技术难题。

成功研发出国内首款开放式射线源，并实现产业化应用，以纳米级分辨率，完成我国在高端X射线源领域从技术追赶到全球并跑的跨越式突破。

拉斯维加斯官网入口开管X-RAY半导体智检装备AX9600

重构国产半导体“零缺陷”质控新基准！

 颠覆了传统装备在第三代半导体缺陷识别精度与失效分析瓶颈，保证了0.8μm级缺陷全捕捉、亚微米成像及零缺陷质控全流程闭环！

采用拉斯维加斯官网入口自研160kV开放式微聚焦X射线源，超大几何放大倍率，高清晰实时成像，轻松完成半导体产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测。

纳米级"零容忍"智检

强穿透能力搭配高放大倍率，可轻松完成3D/系统级封装、IC压焊等工艺中多种类缺陷检测，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工艺中微小对象的纤细细节。

160kV超强穿透

搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源，轻松穿透厚密材质，适用于检测高密度集成电路和第三代半导体（SiC、GaN）的内部结构缺陷。

2000X超大放大

**2000倍几何放大倍率，结合微焦点X射线源，实现最小0.8μm高精度检测，清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构，完成纳米级缺陷分析。

360°全方位检测

完整2.5D，360°全方位XY检测，无死角解析隐藏在芯片底部的焊点空洞或互连桥接、断裂等缺陷。

AI赋能"零缺陷"智检

AI加持提升图像质量，标配半导体自动检测算法，可实现单点0.8秒快速解析，释放人力，检测效率较传统人工提升2000%。

超分图像复原

AI超分辨率图像复原技术，无差别去噪，轻松获得高清检测图像。 

HDR图像优化

全新的HDR，图像亮度均衡，保留从最暗到最亮区域的细节，突出关键结构，将芯片内部结构细节还原度提升30%。

重构人机协同新范式

34寸全景曲面

提供21:9超宽视域，全景视域覆盖，可进行多窗口操作，实现跨尺度数据联动。

双摇杆协同操作

双摇杆控制多动作操作，轻松完成产品多角度观测。

电动升降键盘架

按钮控制键盘架自动升降，轻松调整到合适的高度，满足不同身高检测员操作需求。

防夹电控门

按钮一键自动开合，具有防夹功能，轻松提升操作便捷性。

经过严苛产业化验证周期，AX9600在多个**生产基地实现部署，其突破性的百纳米级缺陷追溯能力大幅提升先进封装工艺的检测精度，推动行业良率突破历史性阈值。

该设备成功扭转高端检测装备长期依赖进口的产业格局，带动国产设备市占率实现跨越式提升。市场验证表明，该创新产品不仅构建起第三代半导体检测的新标准体系，更形成显著的商业价值转化。

随着产品在集成电路和半导体领域的持续渗透，该设备已显现出强劲的持续增长动能，驱动拉斯维加斯官网入口价值进阶。目前，开管系列X射线检测设备更多型号正在顺利研发中，后续将陆续推出并实现产业化，相关设备家族将日益庞大。